BC818K-25

BC818K-25 — электронный компонент Infineon Technologies, категория Однополярные биполярные транзисторы. Характеристики: TRANS NPN 25V 0.5A PG-SOT23-3-11. Закупки и разработка могут

Какие компоненты поставляются со склада?

В наличии у STY TECHNOLOGY LIMITED есть интегральные схемы (IC), резисторы, конденсаторы, катушки индуктивности и диоды. На странице модели можно посмотреть артикул, бренд и параметры, затем запросить цену, чтобы узнать количество и срок поставки. Наличие оригинальной продукции подтверждается на момент запроса.

Как запросить цену по артикулу?

Откройте страницу модели и сверьте бренд, корпус и электрические параметры с вашими требованиями, затем отправьте запрос. Укажите артикул, количество и желаемый срок поставки. Для нескольких позиций используйте подбор по BOM и перечислите каждую позицию один раз.

Поддерживается ли подбор по BOM?

Да. Пришлите артикулы, количество и бренды. Мы сверим интегральные схемы, резисторы, конденсаторы и катушки индуктивности с текущим наличием и сообщим, какое количество можно поставить и какие позиции нужно заказывать.

Номер детали:
BC818K-25
Производитель:
Infineon Technologies
Другие номера деталей:
-
Описание:
TRANS NPN 25V 0.5A PG-SOT23-3-11
Спецификация:
PDF

Характеристики продукта

Статус детали Active
Допуск ±5%
Рабочая температура 150°C (TJ)
Тип монтажа Surface Mount
Поставщик Устройство Корпус PG-SOT23-3-11
Тип схемы Isolated
Коэффициент согласования резисторов -
Резисторное соотношение дрейфа -
Мощность на элемент 62.5mW
Температурный коэффициент ±200ppm/°C
Мощность - Максимальная 500 mW
Тип транзистора NPN
Напряжение - Пробой коллектор-эмиттер (Макс.) 25 V
Ток коллектора (Ic) (макс.) 500 mA
Количество выводов 8
Класс Automotive
Корпус 0804, Convex, Long Side Terminals
Высота - Установленная (Макс.) 0.022" (0.55mm)
Количество резисторов 4
Ток отсечки коллектора (макс.) 100nA (ICBO)
Квалификация AEC-Q200
Насыщение Vce (макс.) при Ib, Ic 700mV @ 50mA, 500mA
Размер / Габариты 0.079" L x 0.039" W (2.00mm x 1.00mm)
Частота - Переход 170MHz
Сопротивление (Ом) 910k
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин) @ Ic, Vce 160 @ 100mA, 1V
Приложения DDRAM, SDRAM