IPZA65R018CM8XKSA1
Product Attributes
| Тип монтажа | Through Hole |
|---|---|
| Статус детали | Active |
| Тип полевого транзистора | N-Channel |
| Технология | MOSFET (Metal Oxide) |
| Напряжение привода (Макс. Rds On, Мин. Rds On) | 10V |
| Vgs (макс.) | ±20V |
| FET Особенности | - |
| Класс | - |
| Квалификация | - |
| Рабочая температура | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Рассеиваемая мощность (максимальная) | 521W (Tc) |
| Ток стока (Id) непрерывный при 25°C | 116A (Tc) |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 650 V |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs | 173 nC @ 10 V |
| Корпус | TO-247-4 |
| Поставщик Устройство Корпус | PG-TO247-4-U02 |
| Vgs(th) (макс.) при Id | 4.7V @ 1.48mA |
| Rds On (Макс) @ Id, Vgs | 18mOhm @ 55.6A, 10V |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 8290 pF @ 400 V |